发光二极管、外延结构及其制作方法.pdfVIP

发光二极管、外延结构及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种发光二极管、外延结构及其制作方法。该发光二极管外延结构，通过设置量子阱准备层，且量子阱准备层包括第一交替生长层和第二交替生长层，均通过氮化镓和氮化铟镓交替生长，从而有效的改善了高铟组分下氮化铟镓量子阱的晶体质量，提升了发光效率，并进一步改善了光分布的均匀性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113451459 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202011206053.0 B82Y 30/00 (2011.01)

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