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本申请提供的一种发光器件,发光器件上包括衬底基板以及层叠设置于衬底基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层。发光层包括周期性交叠的发光单元,发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层,含铟插入层夹设于含铟量子阱层和量子垒层之间,且含铟插入层中铟元素的含量大于含铟量子阱层中铟元素的含量。本发明通过对发光层进行结构设计,在发光单元中加入含铟组分配比的含铟插入层,缓解了发光单元中的强极化电场,并以此减小了发光层中极化电场的影响,增加电子空穴的波函数重叠,提高了载流子辐射复合效率,进而能够提升发光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451460 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202011311951.2 H01L 33/32 (2010.01)
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