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存储器件及其制作方法.pdfVIP

存储器件及其制作方法.pdf

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    一种存储器件包括衬底、字线层、绝缘层及存储单元。字线层堆叠在衬底上方。绝缘层分别与字线层交替地堆叠在衬底上方。存储单元与衬底的主表面垂直地沿着字线层与绝缘层的堆叠方向分布。每一存储单元包括源极线电极及位线电极、第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层被字线层中的一者、源极线电极及位线电极在外围环绕。第二氧化物半导体层设置在字线层中的所述一者与第一氧化物半导体层之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451323 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110641127.1 H01L 27/11568 (2017.01)

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    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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