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本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)在基底上依次涂覆黑色聚合物和光刻胶;(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区,并将曝光区的光刻胶进行曝光和显影;(3)再将步骤(2)所得样品表面镀抗刻蚀的金属层;(4)然后将非曝光区的光刻胶和金属层剥离;(5)最后刻蚀非曝光区的黑色聚合物,得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法可大面积制备高深宽比的黑色矩阵,工艺简单,可行性高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113436548 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110699887.8
(22)申请日 2021.06.23
(71)申请人 南方科技大学
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