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阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法.pdfVIP

阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法.pdf

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    本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113430641 B (45)授权公告日 2022.03.11 (21)申请号 202110701742.7 (51)Int.Cl.

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