基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管及其制备方法和光电探测器.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管及其制备方法和光电探测器.pdf

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本发明提供了一种基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管，包括源极、漏极、栅极、介电层、二维黑砷磷层和金属相材料层；所述介电层设于栅极上，所述二维黑砷磷层和金属相材料层均设于介电层上，且所述二维黑砷磷层与金属相材料层连接，所述源极及漏极均设于二维黑砷磷层或者金属相材料层上，且所述二维黑砷磷层未被源极或者漏极完全覆盖；所述源极与漏极之间通过二维黑砷磷层以及金属相材料层连接。本发明基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管改善了半导体与金属电极之间的接触电阻，提升了基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管的光响应效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437155 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110753627.4 (22)申请日 2021.07.02 (71)申请人泰山学院地址 27

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