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本发明提供一种降低导通电阻的功率晶体管结构，包括：第一导电类型硅衬底，在第一导电类型硅衬底的上方设有第一导电类型硅外延，在所述第一导电类型硅外延内设有有源区与终端区；在终端区第一导电类型硅外延表面的场氧层的上方设有栅极总线多晶硅，所述栅极总线多晶硅的上方设有绝缘介质层，在终端区所述绝缘介质层的上方设有栅极总线金属，所述栅极总线金属通过绝缘介质层内的第三通孔与栅极总线多晶硅欧姆接触。本申请通过将栅极总线金属安置在终端区，能够提高屏蔽栅沟槽型晶体管有源区内的有效的导电面积，能够降低器件的导通电阻，并
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471279 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110727519.X H01L 29/78 (2006.01)
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