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2023-06-23 发布于四川
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本申请案涉及具有增加的有效沟道宽度的晶体管。图像传感器包含安置于半导体衬底中的光电二极管及可操作地耦合到所述光电二极管的晶体管。所述晶体管包含安置于所述半导体衬底中的非平面结构，其由形成于所述半导体衬底中的两个外沟槽结构限定。隔离沉积物经安置于形成于所述半导体衬底中的所述两个外沟槽结构内。栅极包含平面栅极及延伸到在所述半导体衬底中形成于所述非平面结构与所述两个外沟槽结构中的相应者之间的两个内沟槽结构中的一者中的两个指部。此结构在沟道宽度平面中创建沿着所述非平面结构的多个侧壁部分延伸的电子沟道。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451340 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110300247.5 (22)申请日 2021.03.22 (30)优先权数据 16/830,08

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