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MEMS热电堆红外传感器及制备方法.pdfVIP

MEMS热电堆红外传感器及制备方法.pdf

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    本发明提供一种MEMS热电堆红外传感器及制备方法，其中，位于上层的第二半导体层具有贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口，红外吸收层具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口，且位于冷结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与绝缘介质层相接触，位于热结端的第一半导体层与第二半导体层之间具有第一空腔，位于热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有第二空腔，且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀窗口及第二空腔相贯通。本发明仅保留冷结端的绝缘介质层，可减少导热横截面积，降低热结热量损耗，有效提高传感器的灵敏度，且在形成红

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113428833 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110814837.X (22)申请日 2021.07.19 (71)申请人 瑶芯微电子科技（上海）有限公司

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