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本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供基底；于基底上形成多个相互分立的第一掩膜层；形成若干侧墙层，每一侧墙层环绕一个第一掩膜层，每一侧墙层与其余距离最近的侧墙层相连，多个相连的侧墙层背向第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔，初始第一通孔具有倒角；去除第一掩膜层，每一侧墙层围成第二通孔；去除第一掩膜层后，形成修复层，修复层位于侧墙层背向第二通孔的侧壁；修复层还填充于初始第一通孔的倒角，以形成第一通孔；沿第一通孔和第二通孔刻蚀基底，以形成位于基底内的电容孔。本发明实施例
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471148 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110744675.7 H01L 21/027 (2006.01)
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