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一种在轨标校质谱仪基础参数的方法.pdfVIP

一种在轨标校质谱仪基础参数的方法.pdf

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    本发明涉及质谱仪基础参数标校技术领域，提供了一种在轨标校质谱仪基础参数的方法，利用硅酸盐矿物在熔融态下可以吸附环境中气体的特点，在真空条件下，将硅酸盐矿物进行加热，得到熔融态硅酸盐矿物；将其置于标准气体的环境中进行吸附，然后迅速冷却得到标准样品，然后将标准样品预装于质谱仪的热控装置中。当质谱仪进入预定轨道后，需要利用质谱仪进行物质测试时，对标准样品进行在轨加热，使吸附的标准气体释放到质谱仪中，实现质谱仪基础参数的标校。由于硅酸盐矿物在加热之前不会释放气体，避免了使用标准气瓶导致的漏气的风险，且无

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113484401 B (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202110766464.3 (56)对比文件

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