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2023-06-23 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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提供了半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与第一间隔部件和第二间隔部件接触的栅极结构，该第一间隔部件的顶表面和该第二间隔部件的顶表面在栅极结构的顶表面上方延伸；位于该第一间隔部件和该第二间隔部件上方的栅极自对准接触(SAC)介电部件；位于栅极SAC介电部件上方的接触蚀刻停止层(CESL)；位于CESL上方的介电层；栅极接触部件，延伸穿过介电层、CESL、栅极SAC介电部件并且处于第一间隔部件和第二间隔部件之间以与栅极结构接触；以及设置在第一间隔

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451302 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202011631050.1 (22)申请日 2020.12.31 (30)优先权数据 16/895,60

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