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集成电路结构及其形成方法.pdfVIP

集成电路结构及其形成方法.pdf

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    IC结构包括在第一方向上延伸的第一单元行和第二单元行。第一单元行包括：第一单元，每个包括具有第一导电类型的第一源极/漏极区域的一个或多个第一鳍和具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二源极/漏极区域的一个或多个第二鳍。第二单元行包括：第二单元，每个包括具有第一导电类型的第三源极/漏极区域的一个或多个第三鳍和具有第二导电类型的第四源极/漏极区域的一个或多个第四鳍。第一单元具有相同的第一数量的一个或多个第一鳍，并且第二单元具有小于第一数量的一个或多个第一鳍的相同的第二数量的一个或多个第三鳍。本申请

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451306 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202011634719.2 (22)申请日 2020.12.31 (30)优先权数据 16/900,76

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