一种黑色矩阵的制备方法.pdfVIP

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本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)在第一基底上依次沉积第二基底和光刻胶;(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区,将曝光区的光刻胶进行曝光和显影;(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层,对曝光区的第二基底进行刻蚀,刻蚀完成后,去除非曝光区的残余光刻胶;(4)然后在第二基底表面涂覆黑色光刻胶;(5)对上述样品进行刻蚀,使样品表面暴露出非曝光区的第二基底;(6)再用溶剂溶解非曝光区的第二基底,得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法工艺简单,理论上可制备任意深宽比、微米级线宽的黑

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113433795 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110699716.5 (22)申请日 2021.06.23 (71)申请人 南方科技大学 地址

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