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本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，包括所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％，链烷醇胺的质量百分比1～20％，抗氧化剂的质量百分比0.1～10％，可选的含氮杂环的金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～5％。本发明中的清洗液不含季铵碱。该清洗液除了可以有效去除抛光后铜晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留并不对铜表面明显腐蚀，该清洗液可以对在半导体高级节点中使用的钴的阻碍层具有保护性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113444590 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110663474.4 C23G 1/20 (2006.01)
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