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2023-06-23 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括逻辑区和存储区；依次形成第一半导体层、第二半导体层于所述衬底上；并在所述逻辑区上形成第一沟槽隔离结构，在所述存储区上形成第二沟槽隔离结构；移除所述第二半导体层，并对所述存储区和所述逻辑区的衬底分别进行离子植入，形成第一类型阱和第二类型阱；之后在所述逻辑区上的所述第一半导体层上沉积第三半导体层，并移除所述第一半导体层和所述第三半导体层，以形成深度不同的第一凹陷和第二凹陷，且所述第一凹陷小于所述第二凹陷。通过本发明提供的一种半导体

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113488436 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202111036002.2 H01L 27/105 (2006.01)

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