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半导体元件及其制造方法.pdfVIP

半导体元件及其制造方法.pdf

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    本揭露为提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在开口中沉积第一介电层，第一介电层包含半导体元素及非半导体元素。此方法还包括在第一介电层上沉积半导体层，半导体层包含与半导体元素相同的第一元素。此方法还包括将第二元素引入至半导体层，其中第二元素与非半导体元素相同。此方法还包括：对半导体层应用热退火制程，以将半导体层改变为第二介电层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437023 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110708945.9 (51)Int.Cl.

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