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一种中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法.pdfVIP

一种中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法.pdf

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    一种中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法，它涉及中远红外激光材料制备技术。它是要解决现有技术中8～10μm的远红外波段缺乏合适的频率转换材料的技术问题，本方法如下：单质硒放置于石英管底部，镓、锗和锂放置于圆底PBN坩埚中，并将坩埚放入石英管中，石英管经抽真空、熔封后放入倾斜旋转电阻炉中。电阻炉经加热、保温、降温、冷却熔融，获得LiGaGe2Se6多晶原料。再采用水冷式垂直三温区单晶生长炉，利用LiGaGe2Se6多晶原料生长LiGaGe2Se6单晶，生长过程中加入适

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113430650 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110709471.X C30B 11/02 (2006.01)

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