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2023-06-23 发布于四川
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半导体器件及其制作方法、芯片.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，包括：提供第一晶圆，在部分所述第一衬底的表面形成金属硅化物层；形成硅通孔和开孔，开孔贯穿金属硅化物层和部分厚度的第一介质层并暴露出第一金属层；形成焊盘，焊盘形成在硅通孔中并与第一金属层电连接。本发明采用金属硅化物层作为硅通孔的刻蚀停止层，金属硅化物层与第一衬底具有更高的刻蚀选择比，可以增强形成硅通孔工艺中第一衬底的刻蚀量，以避免第一衬底刻蚀不完全导致最终焊盘与第一金属层接触不良甚至断路；本发明开孔工艺只涉及金属硅化物层和第一介质层,相比于传统结构，金属

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113471158 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202110736489.9 H01L 21/48 (2006.01) (22)申请日 2021.06

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