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2023-06-23 发布于四川
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一种高发光效率的硅基发光器件.pdf

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本发明属于发光器件技术领域，尤其是一种高发光效率的硅基发光器件，现提出以下方案，包括硅基发光器件本体，所述硅基发光器件本体的内部设置有P区，且硅基发光器件本体的内部设置有N区，所述P区和N区的底部外壁设置有PN结，所述硅基发光器件本体的内部设置有挖槽，且挖槽将PN结周围挖空，所述硅基发光器件本体的内部设置有负极，且硅基发光器件本体的内部设置有正极。本发明通过设置有挖槽，PN结通过挖槽变成立体器件之后，结区面积被有效扩大了,让PN结增加了侧面发光区域，提高了发光效率,同时，通过增加A‑A’方向挖槽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437190 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110802640.4 (22)申请日 2021.07.15 (71)申请人成都普瑞德半导体有限公司

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