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本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底及形成于衬底上的堆叠结构。衬底包括器件区及位于器件区外围的切割道区，堆叠结构包括位于器件区的第一堆叠结构及位于切割道区的第二堆叠结构。第一堆叠结构形成有沿垂直于所述第一堆叠结构的方向延伸的器件沟道，第二堆叠结构形成有多个沿垂直于所述第二堆叠结构的方向延伸并穿通所述第二堆叠结构的第一参照沟道。其中，器件沟道的关键尺寸小于第一参照沟道的关键尺寸。当该半导体器件进行电子束检测时，基于器件沟道及多个第一参照沟道各自呈现的电压衬度特征，不仅可以判断
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488450 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110716846.5 (56)对比文件
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