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2023-06-23 发布于四川
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一种沟槽式IGBT结构及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种沟槽式IGBT结构及其制造方法，涉及IGBT结构技术领域。集电极的上方设置有n型衬底，n型衬底的内部设置规律排布的纵向的沟槽,沟槽底部形貌呈半圆柱形，沟槽底部置于深p型阱中，沟槽的内侧壁及底壁上形成有栅极氧化层和栅极多晶层，在相邻的沟槽间设有浅p型阱，浅p型阱位于沟槽的上方，浅p型阱的深度小于沟槽深度的一半，浅p型阱内置n+发射区和p+型短路区，沟槽顶部设有氧化层和发射极金属，氧化层中设置金属层形成发射极和栅极。相对于现有技术而言，本发明的有益效果是：在沟槽底部增加低浓度深p型阱

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437142 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110829088.8 (22)申请日 2021.07.22 (71)申请人青岛佳恩半导体科技有限公司

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