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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

半导体装置及其形成方法.pdf

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    提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成金属接触物在基板上方。形成第一介电质在金属接触物上。形成第一开口在第一介电质中。执行湿式蚀刻于第一开口的底表面上并穿过在金属接触物上方的第一蚀刻停止层。湿式蚀刻形成第一凹部在金属接触物的顶表面中。第一凹部的上部宽度小于第一凹部的下部宽度。形成第一导电部件在第一凹部及第一开口中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451214 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110518111.1 (22)申请日 2021.05.12 (30)优先权数据 16/887,31

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