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本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，涉及激光芯片技术领域。本发明的一种VCSEL芯片，包括衬底和位于衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N‑DBR结构、MQW有源层、氧化层和P‑DBR结构，所述P‑DBR结构上沉积有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和P‑DBR结构被向下刻蚀形成台面，所述台面上设置有P‑contact圆环，所述衬底向上至第一氮化硅层上均沉积有第二氮化硅层，所述第二氮化硅层于P‑contact圆环对应的位置蒸镀有P‑ohmic。本发明公开了一种VCSEL芯片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451883 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110519335.4
(22)申请日 2021.05.12
(71)申请人 威科赛乐微电子股份有限公司
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