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半导体器件的制作方法.pdfVIP

半导体器件的制作方法.pdf

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    本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成覆盖衬底的第一掩膜层；形成贯穿第一掩膜层、且底部停留在衬底内的隔离结构；其中，隔离结构的顶部宽度大于隔离结构的底部宽度；形成覆盖第一掩膜层和隔离结构的第二掩膜层；在第二掩膜层中形成开口；其中，开口，显露部分隔离结构以及位于隔离结构外围的部分第一掩膜层；通过开口，去除显露的隔离结构、显露的第一掩膜层以及位于第一掩膜层下方的部分衬底，形成凹槽；其中，凹槽的底部位于衬底内；第一掩膜层的去除速率小于或等于隔离结构的去除速率；填充凹槽，形成导电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437015 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202110686686.4 H01L 21/768 (2006.01)

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