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本发明公开了倒装发光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。在p型层与布拉格反射镜之间增加腐蚀截止层,第一容纳槽与第二容纳槽延伸至腐蚀截止层。腐蚀截止层的增加避免布拉格反射镜上的第一容纳槽与第二容纳槽的成形影响到p型层,保证p型层的表面质量。第一容纳槽与第二任容纳槽则提供了第一绝缘保护层的覆盖空间,并将部分布拉格反射镜包覆在第一绝缘保护层内进行保护,之后再在第一绝缘保护层的表面形成第一通孔与第二通孔。第一通孔与第二通孔形成时对已被第一绝缘保护层覆盖的布拉格反射镜没有影响,有效保护了布拉格
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488568 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110518546.6 H01L 33/44 (2010.01)
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