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一种超结器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本案的发明点提供的器件中浮空多晶场板和浮空金属场板下方没有第二导电类型的保护环等额外的掺杂区；且金属栅电极和多晶硅栅电极下方，除第二导电类型体区外，没有第二导电类型的保护环等额外的掺杂区。由于不采用主结，不引入额外的掺杂区域的情况下仍能保证终端区承受较高的阻断电压，而且由于设计中不再采用主结，本发明的p型体区可以采用多晶硅栅电极作为注入阻挡层，从而可以省去p型体区的光刻版，节约了制造成本，此外，没有主结也可以减小芯片面积，进一步节约成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471291 B
(45)授权公告日 2023.03.31
(21)申请号 202110686877.0 (51)Int.Cl.
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