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三维存储器及其制备方法.pdfVIP

三维存储器及其制备方法.pdf

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    本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括N个叠层单元的叠层结构，其中，每个叠层单元包括交替堆叠的至少一对电介质层和牺牲层，以使每个叠层单元包括一组牺牲层；以及从叠层结构的远离衬底的一侧，依次形成贯穿N个叠层单元的N个栅极缝隙，N个栅极缝隙彼此贯通且贯穿叠层结构，其中，在形成下一个栅极缝隙之前将当前的栅极缝隙所对应的叠层单元内的一组牺牲层置换为一组栅极层，从而形成分别与N个叠层单元对应的第一组栅极层至第N组栅极层，其中，第一组栅极层至第N组栅极层的结构和/或材料组分相互

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113451326 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202110669228.X (56)对比文件

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