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本发明公开了一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板。其中,所述掩膜版包括:与沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区,以及位于第三曝光区背离所述第一曝光区一侧的第四曝光区,所述第一曝光区与第四曝光区均为半透光区域。本发明技术方案的掩膜版在曝光和显影的过程中,能使得部分光阻遗留在与第一曝光区和第四曝光区相对应的区域内,对待形成沟道区域和待形成漏极的区域进行保护,从而提升画素的开口率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113467179 B
(45)授权公告日 2022.06.03
(21)申请号 202110707248.1 (51)Int.Cl.
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