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本发明涉及一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法，包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上的硒化铟纳米片沟道层，位于硒化铟纳米片沟道层上两侧端的第一和第二电极，位于硒化铟纳米片沟道层上、第一和第二电极之间的大尺寸梯度合金CdSe@ZnxCd1‑xS量子点光敏层；本发明首次采用能带弯曲的梯度合金量子点作为混合体系的光敏层，且首次采用InSe纳米片作为混合体系的沟道层，解决了界面处费米能级钉扎效应，实现了，低噪声，高增益，高灵敏度的光探测。同时本发明的制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471310 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110708829.7 H01L 31/0336 (2006.01)
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