集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置.pdf

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本发明公开了一种集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层；去除第二衬底；对器件材料层进行图形化刻蚀以获得含有至少一个半导体器件的器件层。本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451151 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110675282.5 (22)申请日 2021.06.18 (71)申请人格芯致显（杭州）科技有限公司

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