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一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法.pdfVIP

一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法.pdf

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    本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于电子‑离子混合导体的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极；所述阻变层为电子‑离子混合导体，具体为Cu2Se、Cu2S、Cu2Te、Ag2Se、Ag2S、Ag2Te、Zn4Sb3、AgCrSe2、CuCrSe2、Ag8MX6(M

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437216 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110760585.7 (56)对比文件

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