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本发明公开了一种集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置，包括：在衬底上制备包含第一材料层和第二材料层的器件材料层；从第一材料层一侧进行第一图形化刻蚀，形成暴露部分第二材料层的台阶结构；分别在第一材料层上和从台阶结构暴露出的第二材料层上制备第一电极和第二电极，并制备覆盖于第一材料层、第二材料层和第二电极的保护层；在保护层上整面制备与第一电极电气接触的键合层；将键合层键合于载体；对器件材料层进行第二图形化刻蚀，以在载体上形成至少一个半导体器件。本发明利用键合层将电气连接结构置于器件的一侧，可提高光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451147 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110684419.3
(22)申请日 2021.06.21
(71)申请人 格芯致显（杭州）科技有限公司
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