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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为提供能提高选择生长中的选择性及生产率的技术。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给改性气体，使第1基底的表面改性的工序；和(b)将1分子中包含2个以上第1元素的原子且第1元素的原子各自分别经由与第1元素不同的至少1个第2元素的原子与该第2元素的原子直接键合的化合物用作原料气体，在实质上不发生经由原料气体的热分解进行的成膜反应的条件下，将该原料气体向使第1基底的表面改性后的衬底供给，选择性地在第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451111 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110181042.X
(22)申请日 2021.02.07
(30)优先权数据
2020-0551
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