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本发明提供了一种磁性随机存储单元、存储器及设备,包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场,所述磁隧道结自由层的磁矩受到类场矩的作用;当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时,所述磁隧道结的阻态发生改变;当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时,所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应,所述第一自旋轨道矩电流的电流密度小于所述第二自旋轨道矩电流,本发明可通过结合外加磁场和类场矩对自由层磁矩的作用,使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451505 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110210410.9
(22)申请日 2021.02.25
(71)申请人 北京航空航天大学
地址
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