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本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层；p型结区、p型基区、n型发射区以及介质层上表面共同覆盖有阴极，n型发射区其余上表面还覆盖有光电极，光电极与阴极互联；衬底下表面覆盖有阳极。本发明还公开了一种全光控SiC高压器件的制造方法。本发明的全光控SiC高压器件及其制造
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488560 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202110686787.1 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2021.06
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