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一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层,半导体衬底包括第一区域、第二区域和第三区域,第二区域在第一区域和第三区域之间;使用曝光装置曝光光致抗蚀剂层;以及显影曝光的光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案,其中曝光装置包括光源、投影透镜以及设置在光源和投影透镜之间的光掩模,光掩模包括限定光致抗蚀剂图案的主图案以及限定第二区域的抗反射图案,以及曝光光致抗蚀剂层包括向第一和第三区域中的一个区域以及向第二区域提供光,其中提供给所述一个区域的光具有比提供给第二区域的光高的强度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113433792 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110719071.7 G03F 7/004 (2006.01)
(22)申请日 2
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