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聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器.pdfVIP

聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器.pdf

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    本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法，包括步骤：S0：将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中；S1：向所述反应腔体中通入第一混合反应气体，所述第一混合反应气体包括第一前驱体；S2：向所述反应腔体中通入第二混合反应气体，所述第二混合反应气体包括第二前驱体，使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物；S3：循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2，直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度，使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控，可以精确到纳米级别，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113429605 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110720204.2 C08G 61/12 (2006.01)

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