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本申请提供了一种三维存储器。该三维存储器包括:存储阵列芯片,包括第一键合面;外围电路芯片,包括第二键合面,其中,存储阵列芯片在第一键合面处与外围电路芯片在第二键合面处键合连接;受检电路,包括位于存储阵列芯片中的第一导电层和位于外围电路芯片中的第二导电层,其中,第一导电层包括暴露于第一键合面的第一键合触点,第二导电层包括暴露于第二键合面的第二键合触点,第一导电层和第二导电层通过第一键合触点和第二键合触点键合连接后形成受检电路;以及检测模块,位于外围电路芯片和/或存储阵列芯片中,并与受检电路的第一端
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488452 B
(45)授权公告日 2022.05.27
(21)申请号 202110748364.8 H01L 25/18 (2006.01)
(22)申请日 2021.06
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