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2023-06-23 发布于四川
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本发明提出一种半导体结构。半导体结构包括静态随机存取存储器单元，静态随机存取存储器单元包括第一和第二上拉(PU)晶体管、第一和第二下拉(PD)晶体管、第一和第二传输栅(PG)晶体管以及位元线(BL)导体。第一上拉和第一下拉晶体管形成第一反相器。第二上拉和第二下拉晶体管形成第二反相器。第一和第二反相器交叉耦合以形成两个储存节点，其通过第一和第二传输栅晶体管耦接至位元线导体。第一和第二上拉晶体管形成在半导体结构的正面上方的N型有源区上方。第一和第二下拉晶体管以及第一和第二传输栅晶体管形成在半导体结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451315 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110589555.4 (22)申请日 2021.05.28 (30)优先权数据 16/888,26

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