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本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、磁性介质层、第二缓冲层和漂移层；在漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属在衬底的正投影均位于磁性介质层在衬底上的正投影内，在此状态下，磁性介质层工作在交变电场中，在射频磁场介入时，会产生交变电场，进而产生磁场，磁性介质层会产生感应电流，进而形成微导电通道，抵消由于trapping效应中捕获载流子引发的器件电流崩塌现象，以此来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451128 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110726807.3 H01L 29/778 (2006.01)
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