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LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片.pdfVIP

LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片.pdf

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    本发明公开LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一半导体层；在所述第一半导体层上生长多量子阱发光层，所述多量子阱发光层包括交替层叠设置的InGaN势阱层和GaN势垒层，所述InGaN势阱层的厚度为1.5～3nm；在所述多量子阱发光层上生长第二半导体层。本发明通过减薄InGaN势阱层的厚度，使得可以在更低的生长温度下实现InGaN势阱层中In组分的增加。本发明采用超薄InGaN势阱层，可以减小因InGaN势阱层和GaN势垒层晶格失配导致的应力，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113451455 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202011351538.9 (51)Int.Cl.

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