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本申请涉及一种激光器及其制备方法，属于半导体激光器件技术领域。该激光器包括绝缘基板、金属柱、线路层和激光芯片。绝缘基板上设置有贯穿绝缘基板的导热通孔。金属柱设置于导热通孔内，且金属柱的导热效率高于绝缘基板的导热效率。线路层设置于绝缘基板的表面，且线路层覆盖金属柱，线路层上设置有置晶区。激光芯片设置于置晶区并与线路层电性连接。在绝缘基板内设置金属柱，且金属柱的导热效率高于绝缘基板的导热效率，可以使激光芯片的散热效果更好(相较于绝缘基板进行散热，添加金属柱以后散热效果更好)，以便高功率VCSEL器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437637 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110696315.4
(22)申请日 2021.06.22
(71)申请人 中科皓玥(东莞)半导体科技有限责
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