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一种CPDT基梯形格分子及其制备方法和应用.pdfVIP

一种CPDT基梯形格分子及其制备方法和应用.pdf

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    本发明公开一种CPDT基梯形格分子及其制备方法和应用，该分子的整体结构呈梯形，该CPDT基梯形格分子中具有数个噻吩基团，属于富电子体系，以其为基础制备出的执行器的弯曲应变能力较传统方法制备的执行器材料而言有明显提升，使制备柔性更佳的电子材料成为可能，且以此为基础制备的执行器构成简单，整体重量轻，有望克服了传统执行器因材料硬和沉重导致的功率低下等问题，具备更为优异的市场应用前景，该方案为柔性材料的深入研发提供了一条新的思路。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113461713 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110796930.2 审查员 王江维 (22)申请日 2021.07.14

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