半导体器件的制备方法.pdfVIP

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本发明提供的背照式图像传感器的制备方法中,由于先对衬底进行了P型离子注入以形成P型掺杂层,之后刻蚀P型掺杂层形成开槽,并使开槽的宽度大于被开槽分割后形成的P型结构的宽度。如此一来,则降低了后续生长在开槽内的外延结构的深宽比,进而在对外延结构进行N型离子注入时,能够提升注入效果,以提升最终制备而成的背照式图像传感器的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451343 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110739263.4 (22)申请日 2021.06.30 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

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