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一种2.N维油藏芯片及其制作方法.pdfVIP

一种2.N维油藏芯片及其制作方法.pdf

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    本申请提供了一种2.N维油藏芯片及其制作方法。能够在最大程度地保证真实岩心主要结构特征的同时通过N次刻蚀来调整孔隙的水力半径/水力直径，每一次刻蚀能够实现一种新的深度，2.N维油藏芯片能够实现强非均质情况下的更宽广的孔隙水力半径分布，同时多个深度的油藏芯片在一定程度上具备了准三维结构的特征，即深度方向可以有N次变化使得其具备了一定程度的三维结构特征且不影响其成像效果，相关的设计和制作方法简单，每一次新的刻蚀都在前一次刻蚀的基础上进行，且由于后一次刻蚀的孔隙为更大孔隙，范围更加收缩到孔隙中央，对后

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113466102 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110713199.2 (56)对比文件

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