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双势垒肖特基二极管的制备方法.pdfVIP

双势垒肖特基二极管的制备方法.pdf

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    本公开提供一种双势垒肖特基二极管的制备方法，包括：在衬底上制备外延层；在所述外延层上生长金属氧化物薄膜作为高势垒肖特基；利用快速热退火，使所述金属氧化物薄膜形成金属氧化物纳米颗粒层；制备金属层覆于所述金属氧化物纳米颗粒层上得到低势垒肖特基；以及在所述衬底的背面制备欧姆接触，完成双势垒肖特基二极管的制备。上述方法制备的双势垒肖特基二极管能够有效缓解现有技术中肖特基二极管难以同时降低开启电压和降低反向漏电流等技术问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113436970 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110707635.5 (22)申请日 2021.06.24 (71)申请人 中国科学技术大学 地址

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