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适合高密度集成的PMUT-on-CMOS单元、阵列芯片及制造方法.pdfVIP

适合高密度集成的PMUT-on-CMOS单元、阵列芯片及制造方法.pdf

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    本发明公开一种适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元通过垂直方向的多通道金属连线结构，实现PMUT‑on‑CMOS三维结构，通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统PMUT‑on‑CMOS金属互连的瓶颈，极大地降低了金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对PMUT阵列性能的不良影响。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113441379 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202110991565.0 B81B 7/02 (2006.01)

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