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提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)为相邻地设置有绝缘栅型双极晶体管区域(1)和二极管区域(2)的半导体装置，绝缘栅型双极晶体管区域(1)具有：第2导电型的基极层(9)，其设置于第1主面侧的表层；第1导电型的发射极层(8)，其选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层；栅极电极(7a)，其设置于半导体基板的第1主面侧，在沿第1主面的第1方向上并列配置多个，隔着栅极绝缘膜(6a)面向发射极层(8)、基极层(9)及漂移层(12)；以及第1导电型的载流子注入抑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451391 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110295192.3
(22)申请日 2021.03.19
(30)优先权数据
2020-0562
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