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制造半导体器件的方法和对应的半导体器件.pdfVIP

制造半导体器件的方法和对应的半导体器件.pdf

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    本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。一种方法包括将激光直接构造材料模制到至少一个半导体管芯上，在所述激光直接构造材料上形成抗蚀剂材料，经由激光束能量产生在所述激光直接构造材料中的导电构件的相互对准的图案以及抗蚀剂材料的、具有在所述导电构件的侧向的侧壁的蚀刻的部分，以及在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分处形成导电材料，所述导电材料在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分的所述侧壁处具有横向限制表面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451144 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110315813.X (22)申请日 2021.03.24 (30)优先权数据

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